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参数资料
| 型号： | FDS8958A_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 575pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8958A_F085DKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
I DSS
I GSSF
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate-Body Leakage, Forward
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V GS = 0 V, I D = -250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = -250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V DS = -24 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
All
30
-30
25
-23
1
-1
100
V
mV/ ° C
μ A
nA
I GSSR
Gate-Body Leakage, Reverse V GS = -20 V,
V DS = 0 V
All
-100
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
R DS(on)
I D(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain-Source
On-Resistance
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = -250 μA
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = -250 μA, Referenced to 25 ° C
V GS = 10 V, I D = 7 A
V GS = 10 V, I D = 7 A, T J = 125 ° C
V GS = 4.5 V, I D = 6 A
V GS = -10 V, I D = -5 A
V GS = -10 V, I D = -5 A, T J = 125 ° C
V GS = -4.5 V, I D = -4 A
V GS = 10 V, V DS = 5 V
V GS = -10 V, V DS = -5 V
V DS = 5 V, I D = 7 A
V DS = -5 V, I D =-5 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1
-1
20
-20
1.9
-1.7
-4.5
4.5
19
27
24
42
57
65
25
10
3
-3
28
42
40
52
78
80
V
mV/ ° C
m ?
A
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance Q1
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Output Capacitance
Q2
Reverse Transfer Capacitance V DS = -15 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
575
528
145
132
65
70
pF
pF
pF
R G
Gate Resistance
V GS = 15 mV,
f = 1.0 MHz
Q1
Q2
2.1
6.0
?
FDS 8958A _F085 Rev. A
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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