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参数资料
| 型号： | FDS8958A_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 575pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8958A_F085DKR |
Typical Characteristics: Q1 (N-Channel)
10
800
8
I D = 7A
V DS = 10V
20V
600
f = 1MHz
V GS = 0 V
6
4
2
0
15V
400
200
0
C rss
C oss
C iss
0
2
4 6 8
Q g , GATE CHARGE (nC)
10
12
0
5 10 15
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
100
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100 μ s
1
10s
1s
100ms
Tj=25
DC
T A = 25 C
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
o
Tj=125
0.01
0.1
1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
1
0.01
0.1
1
t AV , TIME IN AVALANCHE (mS)
10
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Unclamped Inductive Switching
Capability Figure
50
SINGLE PULSE
40
30
20
10
0
R θ J A = 135°C/W
T A = 25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation.
FDS 8958A _F085 Rev. A
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8958B | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC |
| FDS8958 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8960C | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| FDS8962C | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8978 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8958B | 功能描述:MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8960C | 功能描述:MOSFET 35V Dual N & P-Chl PwrTrnch #174 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8960C_0511 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8962C | 功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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