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参数资料
| 型号： | FDS8958A_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 575pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8958A_F085DKR |
Typical Characteristics: Q2 (P-Channel)
1
D = 0.5
0.1
0.01
0.001
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA (t) = r(t) * R θ A
R θ J A = 135 °C/W
P(pk)
t t 1
t t 2 2
T J - T A = P * R θ J A (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 23. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS 8958A _F085 Rev. A
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8958B | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC |
| FDS8958 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8960C | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| FDS8962C | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8978 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8958B | 功能描述:MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8960C | 功能描述:MOSFET 35V Dual N & P-Chl PwrTrnch #174 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8960C_0511 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDS8962C | 功能描述:MOSFET SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8978 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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