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参数资料
| 型号： | FDS8958A_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 575pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8958A_F085DKR |
Typical Characteristics: Q2 (P-Channel)
30
2
20
V GS = -10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
1.8
1.6
V GS =-4.0V
-4.5V
-4.0V
1.4
-5.0V
-6.0V
10
-3.5V
1.2
-7.0V
-8.0V
-10V
0
-3.0V
1
0.8
0
1
2
3
4
5
6
0
6
12
18
24
30
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
1.2
I D = -5A
V GS = -10V
0.25
0.2
0.15
I D = -2.5A
T A = 125 o C
1
0.8
0.6
0.1
0.05
0
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 14. On-Resistance Variation with
Temperature.
15
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
12
9
V DS = -5V
T A = -55 o C
125 o C
25 o C
10
1
V GS =0V
T A = 125 o C
0.1
25 o C
6
0.01
-55 o C
3
0.001
0
1
1.5
2 2.5 3 3.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
4.5
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.4
Figure 16. Transfer Characteristics.
Figure 17. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS 8958A _F085 Rev. A
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8958B | MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC |
| FDS8958 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8960C | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| FDS8962C | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8978 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS8958B | 功能描述:MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS8960C | 功能描述:MOSFET 35V Dual N & P-Chl PwrTrnch #174 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDS8978 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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