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参数资料
| 型号： | FDS8978 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 907pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8978DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
1.2
1.0
8
7
6
R θ JA = 78 C/W
0.8
0.6
0.4
0.2
5
4
3
2
1
o
V GS = 10V
V GS = 4.5V
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
0
0
25
50 75 100
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C)
125
150
0
25
50
75 100 125
o
150
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
R θ JA = 135 C/W
0.01
0.01
SINGLE PULSE
o
10
10
10
10
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1000
R θ JA = 135 C/W
T A = 25 C
100
10
1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
o
o
10
10
10
10
10
10
10
10
0.5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8978 Rev. B1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS8984_F085 | MOSFET N-CH 30V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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