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参数资料
| 型号： | FDS8978 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 907pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8978DKR |
SABER Electrical Model
REV February 2005
template FDS8978 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=2.0e-12,ikf=10,nl=1.01,rs=7.0e-3,trs1=8e-4,trs2=2e-7,cjo=3.5e-10,m=0.55,tt=7e-11,xti=2)
dp..model dbreakmod = (rs=0.2,trs1=1e-3,trs2=-8.9e-6)
dp..model dplcapmod = (cjo=3.8e-10,isl=10e-30,nl=10,m=0.45)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=2.36,kp=150,is=1e-30, tox=1)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=1.95,kp=5.0,is=1e-30, tox=1)
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-3.5,voff=-4)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-1.5,voff=-1.0)
c.ca n12 n8 = 7.8e-10
m..model mweakmod = (type=_n,vto=1.57,kp=0.02,is=1e-30, tox=1,rs=0.1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-4,voff=-3.5) DPLCAP
10
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-1.0,voff=-1.5)
RSLC2
c.cb n15 n14 = 7.8e-10
c.cin n6 n8 = .78e-9
5
RSLC1
51
ISCL
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
ESG
+
9
20
15
14
13
EGS
EDS
50
MMED
17
8
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 32.9 GATE
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1 1
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
i.it n8 n17 = 1
l.lgate n1 n9 = 5.29e-9
l.ldrain n2 n5 = 1.0e-9
l.lsource n3 n7 = 0.18e-9
res.rlgate n1 n9 = 52.9
res.rldrain n2 n5 = 10
res.rlsource n3 n7 = 1.8
LGATE
RLGATE
-
6
8
EVTEMP 8
RGATE + 18 - 6
22
S1A S2A
12
S1B S2B
13 CB
CA
8 13
6
8
EVTHRES
+ 19 -
CIN
+ +
- -
5
8
RDRAIN
16
21
MSTRO
DBREAK
11
MWEAK
EBREAK
+
18
-
7
RSOURCE
RBREAK
17
14 IT
8
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
18
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
SOURCE
3
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=8.3e-4,tc2=-8e-7
res.rdrain n50 n16 = 1.6e-3, tc1=15e-3,tc2=0.1e-5
res.rgate n9 n20 = 2.3
res.rslc1 n5 n51 = 1e-6, tc1=1e-4,tc2=1e-6
res.rslc2 n5 n50 = 1e3
res.rsource n8 n7 = 8.9e-3, tc1=1e-3,tc2=3e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-2.0e-3,tc2=-6e-6
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-1.8e-3,tc2=2e-7
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/170))** 5))
}
}
RVTHRES
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8978 Rev. B1
9
www.fairchildsemi.com
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