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参数资料
| 型号： | FDS8978 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 907pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8978DKR |
Test Circuits and Waveforms
V DS
BV DSS
L
t P
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
R G
+
V DD
I AS
V DD
V GS
DUT
-
0V
t P
I AS
0
0.01 ?
t AV
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
V DS
V DD
Q g(TOT)
L
V DS
V GS
V GS = 10V
V GS
+
-
V DD
Q gs2
Q g(5)
V GS = 5V
I g(REF)
DUT
V GS = 1V
0
Q g(TH)
I g(REF)
0
Q gs
Q gd
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
0
10%
PULSE WIDTH
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8978 Rev. B1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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