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参数资料
| 型号： | FDS8978 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 907pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8978DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
1.10
I D = 250 μ A
2000
1000
C ISS = C GS + C GD
1.05
1.00
C RSS = C GD
C OSS ? C DS + C GD
0.95
V GS = 0V, f = 1MHz
0.90
10
-80
-40
0
40
80
120
160
0.1
1 10
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
10
8
V DD = 15V
60
10
100us
1ms
6
4
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10ms
100ms
R θ JA = 125 C/W
2
0
0
3
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 7.5A
I D = 1A
6 9 12 15
Q g , GATE CHARGE (nC)
18
0.1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
0.1 1 10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
1s
10s
DC
100
Figure 13. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Figure 14. Forward Bias Safe Operating Area
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8978 Rev. B1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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