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参数资料
| 型号： | IRF6610TRPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 15 A, 20 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | IRF6610TRPBF |
IRF6610PbF
www.irf.com
5
Fig 13. Typical Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11. Maximum Safe Operating Area
Fig 14. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
T
yp
ic
al
V
G
S
(t
h)
G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250A
0.10
1.00
10.00
100.00
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
TA = 25°C
TJ = 150°C
Single Pulse
100sec
1msec
10msec
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0
1
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
3.6A
5.3A
BOTTOM 12A
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF6611PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6611TR1 | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6611TR1 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Power Dissipation:2.8W |
| IRF6611TR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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