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参数资料
| 型号： | IRF6610TRPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 15 A, 20 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2 |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | IRF6610TRPBF |
IRF6610PbF
8
www.irf.com
DirectFET Outline Dimension, SQ Outline
(Small Size Can, Q-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET. This includes
all recommendations for stencil and substrate designs.
DirectFET Part Marking
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
R
P
IMPERIAL
MIN
4.75
3.70
2.75
0.35
0.48
0.78
0.88
0.78
0.93
2.00
0.616
0.020
0.08
MAX
4.85
3.95
2.85
0.45
0.52
0.82
0.92
0.82
0.97
2.10
0.676
0.080
0.17
MIN
0.187
0.146
0.108
0.014
0.019
0.031
0.035
0.031
0.037
0.079
0.0235
0.0008
0.003
METRIC
DIMENSIONS
MAX
0.191
0.156
0.112
0.018
0.020
0.032
0.036
0.032
0.038
0.083
0.0274
0.0031
0.007
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF6611PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6611TR1 | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6611TR1 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Power Dissipation:2.8W |
| IRF6611TR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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