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参数资料
| 型号： | IRF6610TRPBF |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 15 A, 20 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | IRF6610TRPBF |
IRF6610PbF
6
www.irf.com
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 15a. Gate Charge Test Circuit
Fig 15b. Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 16b. Unclamped Inductive Waveforms
tp
V(BR)DSS
IAS
Fig 16a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 17b. Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
Fig 17a. Switching Time Test Circuit
V
GS
Pulse Width < 1s
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6611 | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6611PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6611TR1 | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6611TR1 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor Power Dissipation:2.8W |
| IRF6611TR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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