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参数资料
| 型号： | IRLML6302TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 780mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.6nC @ 4.45V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 97pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
IRLML6302
10
1
0.1
VGS
TOP - 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM - 1.5V
10
1
0.1
VGS
TOP - 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM - 1.5V
-1.5V
T J = 25°C
0.01
0.1
-1.5V
1
20 μ s PULSE WIDTH
A
10
0.01
0.1
1
20 μ s PULSE WIDTH
T J = 150°C
10
A
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
10
T J = 25°C
2.0
I D = -0.61A
1
T J = 150°C
1.5
1.0
0.1
0.5
0.01
1.5
2.0
2.5
3.0
V DS = -10V
20 μ s PULSE WIDTH
3.5 4.0 4.5
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V GS = -4.5V
A
100 120 140 160
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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