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参数资料
| 型号： | IRLML6302TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 780mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.6nC @ 4.45V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 97pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
IRLML6302
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
?
-
**
-
?
+
*
V GS *
R G
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
+
-
V DD
* Reverse Polarity for P-Channel
** Use P-Channel Driver for P-Channel Measurements
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
[ V GS =10V ] ***
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
dv/dt
[ V DD ]
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
[ I SD ]
*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 13. For P-Channel HEXFETS
www.irf.com
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRLML6302TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLML6302TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| IRLML6344TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 20V 2.5V drv capable RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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