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参数资料
| 型号： | IRLML6302TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 780mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.6nC @ 4.45V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 97pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
IRLML6302
-4.5V
Q GS
Q G
Q GD
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
V DD
V G
Charge
Fig 9a. Basic Gate Charge Waveform
-4.5V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
V DS
50K Ω
90%
12V
.2 μ F
.3 μ F
V GS
D.U.T.
V DS
10%
V GS
-3mA
t d(on)
t r
t d(off)
t f
I G
I D
Current Sampling Resistors
Fig 9b. Gate Charge Test Circuit
1000
Fig 10b. Switching Time Waveforms
100
10
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
1 10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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