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参数资料
| 型号： | IRLML6302TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 780mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.6nC @ 4.45V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 97pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
IRLML6302
180
160
140
120
C iss
C oss
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss =C ds +C gd
10
8
6
I D = -0.61A
V DS = -16V
100
80
60
40
20
C rss
4
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0.0
1.0
2.0
SEE FIGURE 9
3.0
A
4.0
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
10
1
T J = 150°C
10
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100 μ s
T J = 25°C
1
1ms
0.1
10ms
V GS = 0V
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
A
0.1
1
T A = 25°C
T J = 150°C
Single Pulse
10
A
100
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLML6302TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLML6302TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 20 V 540 W 2.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| IRLML6344TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 20V 2.5V drv capable RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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