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参数资料
| 型号： | IRLML6302TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 780mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.6nC @ 4.45V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 97pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 540mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
IRLML6302
Micro3 ? Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.05 ( .080 )
1.95 ( .077 )
T R
FEED DIRECTION
4.1 ( .161 )
3.9 ( .154 )
4.1 ( .161 )
3.9 ( .154 )
1.6 ( .062 )
1.5 ( .060 )
1.1 ( .043 )
0.9 ( .036 )
1.85 ( .072 )
1.65 ( .065 )
3.55 ( .139 )
3.45 ( .136 )
1.32 ( .051 )
1.12 ( .045 )
8.3 ( .326 )
7.9 ( .312 )
0.35 ( .013 )
0.25 ( .010 )
178.00
( 7.008 )
MAX.
9.90 ( .390 )
8.40 ( .331 )
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS: 101N.Sepulveda Blvd, El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 12/2011
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLML6302TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML6302TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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| IRLML6344TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 20V 2.5V drv capable RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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