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参数资料
| 型号： | IS61QDB21M36-300M3 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165 |
| 文件页数： | 12/27页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | IS61QDB21M36-300M3 |
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2
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. H
1/6/2010
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs
x36 FBGA Pinout (Top View)
12
34
56
78
9
10
11
ACQ
VSS/SA
NC/SA*
W
BW2
K
BW1
R
SA
VSS/SA
CQ
B
Q27
Q18
D18
SA
BW3
KBW0
SA
D17
Q17
Q8
C
D27
Q28
D19
VSS
SA
VSS
D16
Q7
D8
D
D28
D20
Q19
VSS
Q16
D15
D7
E
Q29
D29
Q20
VDDQ
VSS
VDDQ
Q15
D6
Q6
F
Q30
Q21
D21
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D14
Q14
Q5
G
D30
D22
Q22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q13
D13
D5
HDoff
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
D31
Q31
D23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D12
Q4
D4
K
Q32
D32
Q23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q12
D3
Q3
L
Q33
Q24
D24
VDDQ
VSS
VDDQ
D11
Q11
Q2
M
D33
Q34
D25
VSS
D10
Q1
D2
N
D34
D26
Q25
VSS
SA
VSS
Q10
D9
D1
P
Q35
D35
Q26
SA
C
SA
Q9
D0
Q0
R
TDO
TCK
SASASA
C
SA
TMS
TDI
Note: The following pins are reserved for higher densities: A3 for 64Mb, 10A for 144Mb, and 2A for 288Mb.
x18 FBGA Pinout (Top View)
12
34
56
78
9
10
11
ACQ
VSS/SA*
SA
W
BW1
K
NC
R
SA
VSS/SA*
CQ
BNC
Q9
D9
SA
NC
K
BW0
SA
NC
Q8
CNC
NC
D10
VSS
SA
VSS
NC
Q7
D8
DNC
D11
Q10
VSS
NC
D7
ENC
NC
Q11
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
D6
Q6
FNC
Q12
D12
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
Q5
GNC
D13
Q13
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
D5
HDoff
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
JNC
NC
D14
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
Q4
D4
KNC
NC
Q14
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
D3
Q3
LNC
Q15
D15
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
Q2
MNC
NC
D16
VSS
NC
Q1
D2
NNC
D17
Q16
VSS
SA
VSS
NC
D1
PNC
NC
Q17
SA
C
SA
NC
D0
Q0
R
TDO
TCK
SASASA
C
SA
TMS
TDI
Note: The following pins are reserved for higher densities: 10A for
72Mb and 2A for 144Mb.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61SF25616-11B | 256K X 16 CACHE SRAM, 11 ns, PBGA119 |
| IS61SF25616-8.5TQ | 256K X 16 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| IS61VPD10018-200BI | 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
| IS62VV51216LL-70MI | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48 |
| IS63LV1024-10K | 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61QDB21M36A-250B4I | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin LFBGA |
| IS61QDB21M36A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 1Mx36 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18-250M3 | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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