- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299228 > IS61QDB21M36-300M3 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IS61QDB21M36-300M3 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165 |
| 文件页数： | 8/27页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | IS61QDB21M36-300M3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页当前第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页
16
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. H
1/6/2010
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs
AC Characteristics (VDD = 1.8V -5%, +5%. Over the operating temperature range.)
Parameter
Symbol
40
(250MHz)
504
(200MHz)
Units
Notes
Min
Max
Min
Max
Clock
Cycle time (K, K, C, C)tKHKH
4.0
7.5
5.0
7.5
ns
Clock phase jitter (K, K, C, C)tKC-VAR
0.2
ns
Clock high pulse (K, K, C, C)tKHKL
1.6
2.0
ns
Clock low pulse (K, K, C, C)tKLKH
1.6
2.0
ns
Clock to clock (KH>KH, CH>CH)tKHKH
1.8
2.2
Clock to data clock (KH>CH, KH>CH)tKHCH
0.0
1.35
0.0
1.35
DLL lock (K, C)
tKC-lock
1024
cycle
ns
K static to DLL reset
tKC-reset
30
Output Times
C, C high to output valid
tCHQV
0.45
ns
1, 3
C, C high to output hold
tCHQX
-0.45
ns
1, 3
C, C high to echo clock valid
tCHCQV
0.40
0.4
3
C, C high to echo clock hold
tCHCQX
-0.40
ns
3
CQ, CQ High to output valid
tCQHQV
0.30
0.40
ns
1, 3
CQ, CQ high to output hold
tCQHQX
-0.30
-0.40
ns
1, 3
C High to output high-Z
tCHQZ
0.35
0.38
ns
1, 3
C High to output low-Z
tCHQX1
-0.35
-0.38
ns
1, 3
Setup Times
Address valid to K, K rising edge
tAVKH
0.35
—
0.4
—
ns
2
ns
2
ns
2
Control inputs valid to K rising edge
tIVKH
0.35
—
0.4
—
Data-in valid to K, K rising edge
tDVKH
0.35
—
0.4
—
Hold Times
K rising edge to address hold
tKHAX
0.35
—
0.4
—
ns
2
ns
2
ns
2
K rising edge to Control Inputs Hold
tKHIX
0.35
—
0.4
—
K, K rising edge to data-in hold
tKHDX
0.35
—
0.4
—
1. See AC Test Loading on page 14.
2. During normal operation, VIH, VIL, TRISE, and TFALL of inputs must be within 20% of VIH, VIL, TRISE, and TFALL of clock.
3. If C, C are tied high, then K, K become the references for C, C timing parameters.
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61SF25616-11B | 256K X 16 CACHE SRAM, 11 ns, PBGA119 |
| IS61SF25616-8.5TQ | 256K X 16 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| IS61VPD10018-200BI | 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
| IS62VV51216LL-70MI | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48 |
| IS63LV1024-10K | 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61QDB21M36A-250B4I | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin LFBGA |
| IS61QDB21M36A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 1Mx36 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18-250M3 | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。