参数资料
型号: IS61QDB21M36-300M3
元件分类: SRAM
英文描述: 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165
封装: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165
文件页数: 3/27页
文件大小: 649K
代理商: IS61QDB21M36-300M3
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
11
Rev. H
1/6/2010
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs
Recommended DC Operating Conditions (Over the operating temperature)
Parameter
Symbol
Minimum
Typical
Maximum
Units
Notes
Supply voltage
VDD
1.8 - 5%
1.8 + 5%
V
1
Output driver supply voltage
VDDQ
1.4
1.9
V
1
Input high voltage
VIH
VREF +0.1
VDDQ + 0.3
V
1, 2
1, 3
Input low voltage
VIL
-0.
3
VREF - 0.1
V
Input reference voltage
VREF
0.68
0.95
V
1, 5
Clocks signal voltage
VIN - CLK
-0.
3
VDDQ + 0.3
V
1, 4
1. All voltages are referenced to VSS. All VDD, VDDQ, and VSS pins must be connected.
2. VIH(Max) AC = See 0vershoot and Undershoot Timings.
3. VIL(Min) AC = See 0vershoot and Undershoot Timings.
4. VIN-CLK specifies the maximum allowable DC excursions of each clock (K, K, C, and C).
5. Peak-to-peak AC component superimposed on VREF may not exceed 5% of VREF.
0vershoot and Undershoot Timings
PBGA Thermal Characteristics
Item
Symbol
Rating
Units
Thermal resistance junction to ambient (airflow = 1m/s)
R
ΘJA
20.4
° C/W
Thermal resistance junction to case
R
ΘJC
4.0
C/W
Thermal resistance junction to pins
R
ΘJB
3.23
°C/W
VDDQ
20% Min Cycle Time
VDDQ+0.6V
GND-0.6V
GND
20% Min Cycle Time
Overshoot Timing
Undershoot Timing
VIH(Max) AC
VIL(Min) AC
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