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参数资料
| 型号： | IS61QDB21M36-300M3 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165 |
| 文件页数： | 2/27页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | IS61QDB21M36-300M3 |
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10
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. H
1/6/2010
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Rating
Units
Power supply voltage
VDD
-0.5 to 2.6
V
Output power supply voltage
VDDQ
-0.5 to 2.6
V
Input voltage
VIN
-0.5 to 2.6
V
Data out voltage
VDOUT
-0.5 to 2.6
V
Junction temperature
TJ
110
°C
Storage temperature
TSTG
-55 to +125
°C
Note: Stresses greater than those listed in this table can cause permanent damage to the device. This is a stress rating
only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this datasheet is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
Operating Temperature Range
Range
Symbol
Rating
Unit
Commercial
TA
0 to 70
°C
Industrial
TA
-40 to +85
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IS61QDB22M18-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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