参数资料
型号: IS61QDB21M36-300M3
元件分类: SRAM
英文描述: 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165
封装: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165
文件页数: 7/27页
文件大小: 649K
代理商: IS61QDB21M36-300M3
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
15
Rev. H
1/6/2010
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs
AC Characteristics (VDD = 1.8V -5%, +5%. Over the operating temperature range.)
Parameter
Symbol
30
(300MHz)
Units
Notes
Min
Max
Clock
Cycle time (K, K, C, C)tKHKH
3.3
7.5
ns
Clock phase jitter (K, K, C, C)tKC-VAR
Clock high pulse (K, K, C, C)tKHKL
Clock low pulse (K, K, C, C)tKLKH
Clock to clock (KH>KH, CH>CH)tKHKH
Clock to data clock (KH>CH, KH>CH)tKHCH
DLL lock (K, C)
tKC-lock
K static to DLL reset
tKC-reset
Output Times
C, C high to output valid
tCHQV
0.40
1, 3
C, C high to output hold
tCHQX
-0.40
C, C high to echo clock valid
tCHCQV
0.35
3
C, C high to echo clock hold
tCHCQX
-0.35
3
CQ, CQ high to output valid
tCQHQV
0.25
1, 3
CQ, CQ high to output hold
tCQHQX
-0.25
C high to output high-Z
tCHQZ
0.33
C high to output low-Z
tCHQX1
-0.33
Setup Times
Address valid to K, K rising edge
tAVKH
0.33
ns
2
Control inputs valid to K rising edge
tIVKH
0.33
ns
2
Data-in valid to K, K rising edge
tDVKH
0.33
ns
2
Hold Times
K rising edge to address hold
tKHAX
0.33
ns
2
K rising edge to control inputs hold
tKHIX
0.33
ns
2
K, K rising edge to data-in hold
tKHDX
0.33
ns
2
1. See AC Test Loading on page 14.
2. During normal operation, VIH, VIL, TRISE, and TFALL of inputs must be within 20% of VIH, VIL, TRISE, and TFALL of clock.
3. If C, C are tied high, then K, K become the references for C, C timing parameters.
0.12
1.32
1.35
0.0
1.35
1024
30
cycle
ns
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