参数资料
型号: IS61QDB21M36-300M3
元件分类: SRAM
英文描述: 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165
封装: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165
文件页数: 5/27页
文件大小: 649K
代理商: IS61QDB21M36-300M3
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
13
Rev. H
1/6/2010
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs
Typical AC Input Characteristics
Item
Symbol
Minimum
Maximum
Notes
AC input logic high
VIH (ac)
VREF + 0.2
1, 2, 3, 4
AC input logic low
VIL (ac)
VREF - 0.2
1, 2, 3, 4
Clock input logic high (K, K, C, C)
VIH-CLK (ac)
VREF + 0.2
1, 2, 3
Clock input logic low (K, K, C, C)
VIL-CLK (ac)
VREF - 0.2
1, 2, 3
1. The peak-to-peak AC component superimposed on VREF may not exceed 5% of the DC component of VREF.
2. Performance is a function of VIH and VIL levels to clock inputs.
3. See the AC Input Definition diagram.
4. See the AC Input Definition diagram. The signals should swing monotonically with no steps rail-to-rail with input signals never ring-
ing back past VIH (AC) and VIL (AC) during the input setup and input hold window. VIH (AC) and VIL (AC) are used for timing pur-
poses only.
AC Input Definition
Programmable Impedance Output Driver DC Electrical Characteristics
(VDD = 1.8V -5%, +5%, VDDQ = 1.5, 1.8V. Over the operating temperature range.)
Parameter
Symbol
Minimum
Maximum
Units
Notes
Output “high” level voltage
VOH
VDDQ / 2
VDDQ
V1, 3
Output “low” level voltage
VOL
VSS
VDDQ / 2
V
2, 3
1. IOH =
± 15% @ VOH = VDDQ / 2 For: 175 ≤RQ ≤350.
2. IOL =
± 15% @ VOL = VDDQ / 2 For: 175 ≤RQ ≤350.
3. Parameter tested with RQ = 250
and VDDQ = 1.5V.
VIH (AC)
VREF
VIL (AC)
Setup
Time
Hold
Time
VREF
K
VRAIL
V-RAIL
VDDQ
2
------------------
RQ
5
--------
VDDQ
2
------------------
RQ
5
--------
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