型号: | IS61QDB21M36-300M3 |
元件分类: | SRAM |
英文描述: | 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165 |
封装: | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165 |
文件页数: | 5/27页 |
文件大小: | 649K |
代理商: | IS61QDB21M36-300M3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IS61QDB21M36A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 1Mx36 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61QDB22M18-250M3 | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61QDB22M18-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
IS61QDB22M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |