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参数资料
| 型号： | IS61QDB21M36-300M3 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165 |
| 文件页数： | 13/27页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | IS61QDB21M36-300M3 |
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20
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. H
1/6/2010
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs
IEEE 1149.1 TAP and Boundary Scan
The SRAM provides a limited set of JTAG functions to test the interconnection between SRAM I/Os and
printed circuit board traces or other components. There is no multiplexer in the path from I/O pins to the RAM
core.
In conformance with IEEE Standard 1149.1, the SRAM contains a TAP controller, instruction register,
boundary scan register, bypass register, and ID register.
The TAP controller has a standard 16-state machine that resets internally on power-up. Therefore, a TRST
signal is not required.
Signal List
TCK: test clock
TMS: test mode select
TDI: test data-in
TDO: test data-out
JTAG DC Operating Characteristics (
Over the operating temperature range.)
Operates with JEDEC Standard 8-5 (1.8V) logic signal levels
Parameter
Symbol
Minimum
Typical
Maximum
Units
Notes
JTAG input high voltage
VIH1
1.3
—
VDD+0.3
V
1
JTAG input low voltage
VIL1
-0.3
—
0.5
V
1
JTAG output high level
VOH1
VDD-0.4
—
VDD
V1, 2
JTAG output low level
VOL1
VSS
—
0.4
V
1, 3
1. All JTAG inputs and outputs are LVTTL-compatible.
2. IOH1 ≥ -|2mA|
3. IOL1 ≥ +|2mA|.
JTAG AC Test Conditions (VDD = 1.8V -5%, +5%. Over the operating temperature range)
Parameter
Symbol
Conditions
Units
Input pulse high level
VIH1
1.3
V
Input pulse low level
VIL1
0.5
V
Input rise time
TR1
1.0
ns
Input fall time
TF1
1.0
ns
Input and output timing reference level
0.9
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IS61QDB22M18-250M3 | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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