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参数资料
| 型号： | IS61QDB21M36-300M3 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165 |
| 文件页数： | 9/27页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | IS61QDB21M36-300M3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
17
Rev. H
1/6/2010
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs
Read and Deselect Cycles Timing Diagram
tCHCQX
tCHCQV
tCHCQX
tCHCQV
tCQHQX
tCQHQV
tCHQV
tCHQZ
tCHQX
tCHQV
tCHQX
tKLKH
tKHKH
tKHKL
tKHIX
tIVKH
tKHAX
tAVKH
tKHKH
tKLKH
tKHKH
tKHKL
Read
NOP
Read
NOP
A1
A2
A3
Q1-1
Q1-2
Q2-1
Q2-2
Q3-1
K
SA
R
Q (Data Out)
C
CQ
tKLKH
Notes: 1. Q1-1 refers to output from address A1+0, Q1-2 refers to output from address A1+1 (that is, the next internal
burst address following A1+0).
2. Outputs are disabled one cycle after an NOP.
Don’t Care
Undefined
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IS61QDB22M18-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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