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参数资料
| 型号： | IS61QDB21M36-300M3 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 36 DDR SRAM, PBGA165 |
| 封装： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LFBGA-165 |
| 文件页数： | 18/27页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | IS61QDB21M36-300M3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
25
Rev. H
1/6/2010
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18)
QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs
Order
Pin ID
Order
Pin ID
Order
Pin ID
1
6R
37
10D
73
2C
26P
37
9E
74
3E
3
6N
39
10C
75
2D
4
7P
40
11D
76
2E
5
7N41
9C77
1E
6
7R42
9D78
2F
7
8R
43
11B
79
3F
8
8P
44
11C
80
1G
99R
45
9B
81
1F
10
11P
46
10B
82
3G
11
10P
47
11A
83
2G
12
10N
48
10A
84
1H
13
9P
49
9A
85
1J
14
10M
50
8B
86
2J
15
11N
51
7C
87
3K
16
9M
52
6C
88
3J
17
9N
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54
7A
90
1K
19
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55
7B
91
2L
20
9L
56
6B
92
3L
21
10L
57
6A
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1M
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11K
58
5B
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1L
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10K
59
5A
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24
9J
60
4A
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25
9K
61
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10J
62
4B
98
2M
27
11J
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3A
99
3P
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100
2N
29
10G
65
1A
101
2P
30
9G
66
2B
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1P
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11F
67
3B
103
3R
32
11G
68
1C
104
4R
33
9F
69
1B
105
4P
34
10F
70
3D
106
5P
35
11E
71
3C
107
5N
36
10E
72
1D
108
5R
109
Internal
Note:
1) NC pins as defined on FBGA pinouts on page 2 are read as “don’t cares”.
2) State of Internal pin (#109) is loaded via JTAG
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61SF25616-11B | 256K X 16 CACHE SRAM, 11 ns, PBGA119 |
| IS61SF25616-8.5TQ | 256K X 16 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| IS61VPD10018-200BI | 1M X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
| IS62VV51216LL-70MI | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48 |
| IS63LV1024-10K | 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61QDB21M36A-250B4I | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin LFBGA |
| IS61QDB21M36A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 1Mx36 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18-250M3 | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61QDB22M18A-250M3L | 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 165ball QUAD Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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