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参数资料
| 型号： | LBE2009S |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistors |
| 中文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CERAMIC, SOT-441A, 4 PIN |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | LBE2009S |
1998 Feb 16
6
Philips Semiconductors
Product specication
NPN microwave power transistors
LBE2003S; LBE2009S
Table 1
Scattering parameters LBE2003S: VCE = 18 V; IC = 30 mA (VCE and IC regulated); Tmb =25 °C; Zo =50 ;
typical values. (The figures given between brackets are values in dB).
f
(MHz)
S11
S21
S12
S22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
500
0.56
143
0.037 (
28.6)
41
9.50 (19.6)
101
0.56
34
600
0.55
154
0.040 (
28.0)
39
8.28 (18.4)
93
0.51
35
700
0.55
164
0.040 (
27.9)
40
7.13 (17.1)
88
0.50
36
800
0.55
171
0.041 (
27.7)
40
6.35 (16.1)
82
0.49
37
900
0.55
178
0.043 (
27.4)
41
5.69 (15.1
77
0.47
38
1000
0.55
176
0.045 (
26.9)
40
5.14 (14.2
72
0.46
39
1100
0.55
170
0.048 (
26.4)
40
4.72 (13.5
68
0.46
39
1200
0.55
165
0.051 (
25.9)
41
4.37 (12.8
64
0.45
41
1300
0.56
159
0.056 (
25.1)
41
4.05 (12.2
60
0.44
44
1400
0.55
158
0.060 (
24.5)
41
3.76 (11.5
57
0.45
46
1500
0.55
149
0.062 (
24.2)
40
3.52 (10.9
53
0.43
48
1600
0.55
146
0.065 (
23.8)
42
3.33 (10.5
50
0.43
50
1700
0.56
142
0.068 (
23.3)
42
3.15 (10.0
46
0.43
53
1800
0.57
137
0.070 (
23.1)
41
2.96 (9.4)
42
0.43
54
1900
0.57
132
0.072 (
22.9)
40
2.80 (8.9)
39
0.43
56
2000
0.58
128
0.074 (
22.7)
40
2.66 (8.5)
36
0.42
57
2200
0.60
121
0.081 (
21.8)
39
2.43 (7.7)
28
0.41
61
2400
0.62
114
0.091 (
20.8)
37
2.24 (7.0)
23
0.40
67
2600
0.64
108
0.099 (
20.1)
36
2.08 (6.4)
16
0.39
75
2800
0.66
102
0.105 (
19.6)
33
1.90 (5.6)
10
0.38
82
3000
0.68
96
0.108 (
19.4)
31
1.79 (5.1)
4
0.39
87
3200
0.71
92
0.124 (
18.7)
29
1.63 (4.3)
2
0.37
94
3400
0.73
89
0.125 (
18.0)
27
1.58 (4.0)
7
0.40
101
3600
0.75
86
0.137 (
17.3)
25
1.46 (3.3)
13
0.39
112
3800
0.76
82
0.142 (
17.0)
23
1.40 (2.9)
18
0.38
120
4000
0.77
79
0.149 (
16.6)
20
1.31 (2.3)
24
0.38
128
4200
0.78
75
0.155 (
16.2)
17
1.25 (1.9)
28
0.38
133
4400
0.80
73
0.167 (
15.5)
15
1.20 (1.6)
34
0.39
142
4600
0.81
69
0.177 (
15.0)
12
1.14 (1.1)
38
0.39
151
4800
0.81
68
0.187 (
14.6)
10
1.10 (0.8)
43
0.42
159
5000
0.81
65
0.194 (
14.3)
6
1.04 (0.4)
47
0.44
165
5200
0.80
60
0.203 (
13.8)
4
1.03 (0.3)
53
0.47
169
5400
0.81
56
0.219 (
13.2)
1
0.98 (
0.2)
57
0.48
175
5600
0.81
51
0.229 (
12.8)
3
0.97 (
0.3)
62
0.49
178
5800
0.81
48
0.243 (
12.3)
8
0.92 (
0.7)
68
0.51
171
6000
0.80
44
0.245 (
12.2)
12
0.90 (
0.9)
72
0.55
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PDF描述 |
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| LC0406FC24C-LF | 200 W, BIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
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参数描述 |
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| LBE63C | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON) |
| LBE63C-S2U1-35 | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON) |
| LBE63C-T2V1-35 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q65110A1852_POWER TOPLED - ROHS 制造商:OSRAM 功能描述:Power TOPLED Blue,LB E63C-T2V1-35 |
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