参数资料
型号: LBE2009S
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: NPN microwave power transistors
中文描述: S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: CERAMIC, SOT-441A, 4 PIN
文件页数: 14/16页
文件大小: 78K
代理商: LBE2009S
1998 Feb 16
7
Philips Semiconductors
Product specication
NPN microwave power transistors
LBE2003S; LBE2009S
Table 2
Scattering parameters LBE2009S: VCE = 18 V; IC = 110 mA (VCE and IC regulated); Tmb =25 °C; Zo =50 ;
typical values. (The figures given between brackets are values in dB).
f
(MHz)
S11
S21
S12
S22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
500
0.70
177
0.029 (
30.7)
50
7.55 (17.6)
83
0.25
48
600
0.70
171
0.033 (
29.6)
51
6.43 (16.2)
77
0.22
50
700
0.70
168
0.036 (
29.0)
53
5.46 (14.6)
73
0.23
52
800
0.70
163
0.039 (
28.4)
54
4.80 (13.6)
68
0.22
54
900
0.71
159
0.041 (
27.8)
54
4.27 (12.6)
64
0.22
56
1000
0.71
155
0.045 (
27.0)
55
3.84 (11.7)
60
0.21
59
1100
0.71
151
0.049 (
26.2)
54
3.53 (11.0)
56
0.21
62
1200
0.71
148
0.054 (
25.4)
54
3.27 (10.3)
52
0.21
65
1300
0.71
144
0.060 (
24.5)
53
3.01 (9.6)
48
0.20
74
1400
0.72
143
0.066 (
23.6)
54
2.80 (9.0)
45
0.20
79
1500
0.72
136
0.070 (
23.1)
52
2.61 (8.3)
41
0.21
80
1600
0.72
133
0.075 (
22.5)
53
2.47 (7.9)
38
0.21
83
1700
0.72
130
0.080 (
21.9)
51
2.33 (7.3)
34
0.22
87
1800
0.73
127
0.084 (
21.5)
49
2.18 (6.8)
30
0.22
90
1900
0.73
123
0.087 (
21.2)
48
2.05 (6.3)
26
0.22
94
2000
0.74
120
0.090 (
20.9)
46
1.97 (5.9)
23
0.22
97
2200
0.75
114
0.100 (
20.0)
43
1.78 (5.0)
15
0.22
109
2400
0.77
108
0.112 (
19.0)
40
1.63 (4.3)
10
0.21
122
2600
0.79
103
0.123 (
18.2)
37
1.51 (3.6)
2
0.24
133
2800
0.80
97
0.129 (
17.8)
33
1.36 (2.7)
4
0.25
143
3000
0.81
92
0.134 (
17.5)
30
1.28 (2.1)
11
0.27
151
3200
0.83
88
0.143 (
16.9)
26
1.15 (1.2)
17
0.28
163
3400
0.85
85
0.152 (
16.4)
24
1.10 (0.9)
21
0.30
173
3600
0.86
82
0.163 (
15.8)
20
1.00 (0)
28
0.34
178
3800
0.87
79
0.168 (
15.5)
17
0.96 (
0.4)
32
0.37
173
4000
0.88
75
0.175 (
15.2)
14
0.88 (
1.1)
39
0.41
168
4200
0.88
71
0.180 (
14.9)
11
0.83 (
1.6)
42
0.42
162
4400
0.89
69
0.193 (
14.3)
8
0.79 (
2.1)
48
0.45
155
4600
0.90
66
0.200 (
14.0)
5
0.74 (
2.6)
51
0.48
149
4800
0.90
64
0.211 (
13.5)
2
0.71 (
3.0)
56
0.52
145
5000
0.90
61
0.214 (
13.4)
2
0.66 (
3.6)
59
0.55
144
相关PDF资料
PDF描述
LBS-132-A-G-D 64 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER
LC0406FC24C-LF 200 W, BIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
LC0406FC36C-LF 200 W, BIDIRECTIONAL, 6 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
LC0408FC05C-LF-T75-1 200 W, BIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
LC0408FC24C-LF-T75-2 200 W, BIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
LBE63C 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON)
LBE63C-S2U1-35 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Power TOPLED with Lens Enhanced Optical Power LED (ATON)
LBE63C-T2V1-35 制造商:OSRAM 功能描述:Q65110A1852_POWER TOPLED - ROHS 制造商:OSRAM 功能描述:Power TOPLED Blue,LB E63C-T2V1-35
LBE63C-T2V1-35-R33-Z 制造商:OSRAM 功能描述:
LBE63C-T2V1-35-Z 制造商:OSRAM 功能描述: