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参数资料
| 型号： | M6MGB166S2BWG |
| 厂商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-CSP |
| 中文描述： | 3.3的CMOS只快闪记忆体 |
| 文件页数： | 2/30页 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | M6MGB166S2BWG |
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Nov 1999 , Rev.2.3
MITSUBISHI LSIs
16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT ) CMOS
3.3V-ONLY FLASH MEMORY &
2,097,152-BIT (131,072-WORD BY 16-BIT) CMOS SRAM
Stacked-CSP (Chip Scale Package)
M6MGB/T166S2BWG
2
BLOCK DIAGRAM
MULTIPLEXER
INPUT/OUTPUT
BUFFERS
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
DQ
2
DQ
1
DQ
0
DQ
3
WSM
16Mb Flash Memory
X-DECODER
Y-DECODER
Y-GATE / SENSE AMP.
F-CE#
F-OE#
F-WE#
F-WP#
F-RP#
F-VCC
F-GND/GND
CUI
STATUS / ID REGISTER
128 WORD PAGE BUFFER
Main Block 32KW
Main Block 32KW
Parameter Block7 16KW
F-RY/BY#
FLASH READY/BUSY OUTPUT
F-A
18
F-A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
ADDRESS
INPUTS
FLASH CHIP ENABLE INPUT
FLASH OUTPUT ENABLE INPUT
FLASH WRITE ENABLE INPUT
FLASH WRITE PROTECT INPUT
FLASH RESET/POWER DOWN INPUT
B
28
Parameter Block5 16KW
Parameter Block4 16KW
Parameter Block6 16KW
Boot Block 16KW
Parameter Block3 16KW
Parameter Block2 16KW
Parameter Block1 16KW
B
F-A
19
DATA INPUTS/OUTPUTS
2Mb SRAM
S-CE1#
S-WE#
S-OE#
S-CE2
S-LB#
S-UB#
A
R
131072 WORD x
16 BITS
CLOCK
GENERATOR
DQ7
DQ0
DQ15
DQ 8
S-VCC
GND
A
0
A
1
A
15
A
16
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PDF描述 |
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