参数资料
| 型号： | MCIMX258CJM4 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 115/153页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MPU IMX25 IND 400-MAPBGA |
| 特色产品： | MCIMX25 Applications Processors |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | i.MX25 |
| 核心处理器： | ARM9 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 连通性： | 1 线，CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 128 |
| 程序存储器类型： | 外部程序存储器 |
| RAM 容量： | 144K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.15 V ~ 1.52 V |
| 数据转换器： | A/D 3x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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i.MX25 Applications Processor for Consumer and Industrial Products, Rev. 10
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Freescale Semiconductor
Figure 32. DDR2 SDRAM Write Cycle Timing Diagram
Table 52. DDR2 SDRAM Write Cycle Parameter Table
ID
Parameter
Symbol
DDR2-400
Unit
Min.
Max.
DDR17
DQ & DQM setup time to DQS (single-ended strobe)1
1 These values are for a DQ/DM slew rate of 1 V/ns and a DQS slew rate of 1 V/ns. For additional values use Table 53, “DtDS1,
DtDH1 Derating Values for DDR2-400, DDR2-533.”
tDS1(base)
0.6
—
ns
DDR18
DQ & DQM hold time to DQS (single-ended strobe)1
tDH1(base)
0.6
—
ns
DDR19
Write cycle DQS falling edge to SDCLK output setup time
tDSS
0.3
—
tCK
DDR20
Write cycle DQS falling edge to SDCLK output hold time
tDSH
0.3
—
tCK
DDR21
DQS latching rising transitions to associated clock edges
tDQSS
-0.2
0.2
tCK
DDR22
DQS high-level width
tDQSH
0.35
—
tCK
DDR23
DQS low-level width
tDQSL
0.35
—
tCK
Table 53.
ΔtDS1, ΔtDH1 Derating Values for DDR2-400, DDR2-5331,2,3
DQS Single-Ended Slew Rate
2.0 V/ns
1.5 V/ns
1.0 V/ns
0.9 V/ns
0.8 V/ns
0.7 V/ns
0.6 V/ns
0.5 Vns
0.4 V/ns
ΔtD
S1
ΔtD
H1
ΔtD
S1
ΔtD
H1
ΔtD
S1
ΔtD
H1
ΔtD
S1
ΔtD
H1
ΔtD
S1
ΔtD
H1
ΔtD
S1
ΔtD
H1
ΔtD
S1
ΔtD
H1
ΔtD
S1
ΔtD
H1
ΔtD
S1
ΔtD
H1
SDCLK
SDCLK_B
DQS (output)
DQ (output)
DQM (output)
Data
Data
DM
DDR17
DDR18
DDR19
DDR20
DDR21
DDR23
DDR22
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PDF描述 |
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