参数资料
| 型号： | MCIMX258CJM4 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 83/153页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MPU IMX25 IND 400-MAPBGA |
| 特色产品： | MCIMX25 Applications Processors |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | i.MX25 |
| 核心处理器： | ARM9 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 连通性： | 1 线，CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 128 |
| 程序存储器类型： | 外部程序存储器 |
| RAM 容量： | 144K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.15 V ~ 1.52 V |
| 数据转换器： | A/D 3x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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i.MX25 Applications Processor for Consumer and Industrial Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
35
Table 26 shows the AC requirements for mobile DDR I/O.
Output pad slew rate2 (high drive)
tps
25 pF
50 pF
0.30/0.37
0.21/0.25
0.51/0.63
0.36/0.42
091/1.06
0.63/0.67
V/ns
Output pad slew rate2 (standard drive)
tps
25 pF
50 pF
0.22/0.26
0.13/0.16
0.37/0.44
0.23/0.26
0.65/0.72
0.39/0.40
V/ns
Output pad dI/dt3 (max. drive)
tdit
25 pF
50 pF
65
70
171
183
426
450
mA/ns
Output pad dI/dt3 (high drive)
tdit
25 pF
50 pF
31
33
82
87
233
245
mA/ns
Output pad dI/dt3 (standard drive)
tdit
25 pF
50 pF
16
17
43
46
115
120
mA/ns
Input pad transition times4
trfi
1.0 pF
0.07/0.08
0.11/0.13
0.16/0.20
ns
Input pad propagation delay, 50%–50%4
tpi
1.0 pF
0.84/0.84
1.40/1.34
2.25/2.16
ns
Input pad propagation delay, 40%–60%4
tpi
1.0 pF
1.66/1.66
2.22/2.16
3.06/2.97
ns
1 Maximum condition for tpr, tpo, tpi, and tpv: wcs model, 1.1 V, I/O 1.65 V, and 105 °C. Minimum condition for tpr, tpo, and tpv:
bcs model, 1.3 V, I/O 1.95 V and –40 °C. Input transition time from core is 1 ns (20%–80%).
2 Minimum condition for tps: wcs model, 1.1 V, I/O 1.65 V, and 105 °C. tps is measured between VIL to VIH for rising edge and
between VIH to VIL for falling edge.
3 Maximum condition for tdit: bcs model, 1.3 V, I/O 1.95 V, and –40 °C.
4 Maximum condition for tpi and trfi: wcs model, 1.1 V, I/O 1.65 V and 105 °C. Minimum condition for tpi and trfi: bcs model, 1.3 V,
I/O 1.95 V and –40 °C. Input transition time from pad is 5 ns (20%–80%).
Table 26. AC Requirements for Mobile DDR I/O
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units
AC input logic high
VIH(ac)
0.8
× OVDD
OVDD+0.3
V
AC input logic low
VIL(ac)
–0.3
0.2
× OVDD
V
AC differential input voltage
Vid(ac)
0.6
× OVDD
OVDD+0.6
V
AC differential cross point voltage for input
Vix(ac)
0.4
× OVDD
OVDD+0.6
V
Table 25. AC Parameters for Mobile DDR pbijtov18_33_ddr_clk I/O (continued)
Parameter
Symbol
Load
Condition
Min.
Rise/Fall
Typ.
Max.
Rise/Fall
Units
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MCIMX258CVM4 | 功能描述:处理器 - 专门应用 SENNA IMX25 1.1 INDUSTRIAL RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 类型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 处理器系列:i.MX6 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:1 GHz 指令/数据缓存: 数据 RAM 大小:128 KB 数据 ROM 大小: 工作电源电压: 最大工作温度:+ 95 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MAPBGA-432 |
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| MCIMX25LPDKJ | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:; LEADED PROCESS COMPATIBLE:YES; PEAK RE |
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