参数资料
| 型号： | MCIMX258CJM4 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 70/153页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MPU IMX25 IND 400-MAPBGA |
| 特色产品： | MCIMX25 Applications Processors |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | i.MX25 |
| 核心处理器： | ARM9 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 400MHz |
| 连通性： | 1 线，CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG |
| 外围设备： | DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 128 |
| 程序存储器类型： | 外部程序存储器 |
| RAM 容量： | 144K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.15 V ~ 1.52 V |
| 数据转换器： | A/D 3x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 400-LFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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i.MX25 Applications Processor for Consumer and Industrial Products, Rev. 10
Freescale Semiconductor
23
3.5.2
GPIO I/O DC Parameters
Table 20 shows the I/O parameters for GPIO.
Termination voltage5
Vtt
—
OVDD/2 – 0.04
OVDD/2
OVDD/2 + 0.04
Input current6(no pull-up/down)
IIN
VI = 0
VI = OVDD
—
110
60
nA
High-impedance I/O supply current6
Icc-ovdd
VI = OVDD or 0
—
980
nA
High-impedance core supply current6
Icc-vddi
VI = VDD or 0
—
1210
nA
1 OVDD = 1.7 V; V
out = 1.42 V. (Vout-OVDD)/IOH must be less than 21 W for values of Vout between OVDD and OVDD-0.28 V.
2 OVDD = 1.7 V; V
out = 280 mV. Vout/IOL must be less than 21 W for values of Vout between 0 V and 280 mV. Simulation circuit
for parameters Voh and Vol for I/O cells is below.
3 Vin(dc) specifies the allowable DC excursion of each differential input.
4 Vid(dc) specifies the input differential voltage required for switching. The minimum value is equal to Vih(dc) - Vil(dc).
5 Vtt is expected to track OVDD/2.
6 Minimum condition: BCS model, 1.95 V, and –40 °C. Typical condition: typical model, 1.8 V, and 25 °C. Maximum condition:
wcs model, 1.65 V, and 105 °C.
Table 20. GPIO DC Electrical Characteristics
DC Electrical Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
High-level output voltage1
Voh
Ioh=–1mA
Ioh = Specified Drive
OVDD – 0.15
0.8
× OVDD
——
V
Low-level output voltage1
Vol
Iol=1mA
Iol=Specified Drive
—
0.15
0.2
× OVDD
V
High-level output current for slow mode
I
Ioh
Voh=0.8
× OVDD
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
–2.0
–4.0
–8.0
——
mA
High-level output current for fast mode
I
Ioh
Voh=0.8
× OVDD
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
–4.0
–6.0
–8.0
——
mA
Low-level output current for slow mode
I
Iol
Voh=0.2
× OVDD
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
2.0
4.0
8.0
——
mA
Low-level output current for fast mode
I
Iol
Voh=0.2
× OVDD
Standard Drive
High Drive
Max. Drive
4.0
6.0
8.0
——
mA
High-level DC input voltage
VIH
—
0.7
× OVDD
—
OVDD
V
Low-level DC input voltage
VIL
—
–0.3 V
—
0.3
× OVDD
V
Table 19. DDR2 (SSTL_18) I/O DC Electrical Characteristics (continued)
DC Electrical Characteristics
Symbol Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
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