参数资料
| 型号： | MCP669T-E/ML |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 12/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP QUAD 60MHZ 16QFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 32 V/µs |
| 增益带宽积： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 80mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页当前第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页
MCP660/1/2/3/4/5/9
DS22194D-page 2
2009-2012 Microchip Technology Inc.
Package Types
MCP661
SOIC
MCP662
MSOP, SOIC
VIN+
VIN-
VSS
VDD
VOUT
1
2
3
4
8
7
6
5 NC
NC
VINA+
VINA-
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VOUTA
VDD
VOUTB
VINB-
VINB+
MCP665
MSOP
VINA+
VINA-
VSS
1
2
3
4
10
9
8
7
VOUTA
VDD
VOUTB
VINB-
VINB+
CSA 5
6 CSB
MCP662
3x3 DFN*
VINA+
VINA-
VSS
VOUTA
VDD
VOUTB
VINB-
VINB+
MCP665
3x3 DFN*
* Includes Exposed Thermal Pad (EP); see Table 3-1.
1
2
3
4
8
7
6
5
VINA+
VINA-
CSA
VOUTA
VDD
VOUTB
VINB-
CSB
1
2
3
5
10
9
8
6
VSS
VINB+
4
7
MCP663
SOIC
VIN+
VIN-
VSS
VDD
VOUT
1
2
3
4
8
7
6
5 NC
CS
NC
MCP660
SOIC, TSSOP
NC
VDD
1
2
3
4
14
13
12
11
NC
VOUTC
VINC-
VINC+
VSS
VINA+ 5
10 VINB+
VINA- 6
9
VOUTA 7
8 VOUTB
VINB-
2
MCP669
4x4 QFN*
VDD
VINB+
VINA-
VIND+
VSS
V
IN
B
-
VINC+
V
OU
TB
C
S
BC
V
OU
TC
VINC-
V
OUT
A
C
S
AD
V
OUT
D
V
IN
D
-
VINA+
EP
16
1
15 14 13
3
4
12
11
10
9
56
7
8
17
MCP664
SOIC, TSSOP
VINA+
VINA-
VDD
1
2
3
4
14
13
12
11
VOUTA
VOUTD
VIND-
VIND+
VSS
VINB+ 5
10 VINC+
VINB- 6
9
VOUTB 7
8 VOUTC
VINC-
2
MCP660
4x4 QFN*
VDD
VINA+
NC
VINC+
VSS
V
IN
A
-
VINB+
V
OU
TA
NC
V
OU
TB
VINB-
NC
V
OU
TC
V
IN
C
-
NC
EP
16
1
15 14 13
3
4
12
11
10
9
56
7
8
17
EP
9
EP
11
CS
VIN+
VOUT
VSS
VIN-
MCP663
SOT-23-6
VDD
1
2
3
4
5
6
VIN+
VOUT
VSS
VIN-
MCP661
SOT-23-5
VDD
1
2
3
4
5
MCP661
2x3 TDFN *
VIN+
VIN–
VSS
VDD
VOUT
1
2
3
4
8
7
6
5 NC
CS
NC
EP
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCP6H04T-E/SL | IC OPAMP QUAD16V 1.2MHZ 14SOIC |
| MCP6N11T-100E/SN | IC AMP INSTR RRIO 35MHZ 8SOIC |
| MCP6V11T-E/OT | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SOT23-5 |
| MCP6V27T-E/SN | IC OPAMP DUAL AUTO-ZERO 8SOIC |
| MCP6V31UT-E/LT | IC OPAMP SGL ZERO DRIFT SC70-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MCP6G01-E/MS | 功能描述:特殊用途放大器 Single Selectable Gain Amplifiers RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6G01-E/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:SINGLE 1.8V, 1 MHZ GAIN BLOCK, E TEMP - Rail/Tube |
| MCP6G01-E/SN | 功能描述:特殊用途放大器 Single Selectable Gain Amplifiers RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6G01RT-E/OT | 功能描述:特殊用途放大器 Sngl 1.8V1MHz Gain Blk E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
| MCP6G01T-E/MS | 功能描述:特殊用途放大器 Single Selectable Gain Amplifiers RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。