参数资料
| 型号： | MCP669T-E/ML |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/68页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP QUAD 60MHZ 16QFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 4 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 32 V/µs |
| 增益带宽积： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1800µV |
| 电流 - 电源： | 6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 80mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2009-2012 Microchip Technology Inc.
DS22194D-page 17
MCP660/1/2/3/4/5/9
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kto VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
FIGURE 2-48:
Quiescent Current in
Shutdown vs. Power Supply Voltage.
FIGURE 2-49:
Output Leakage Current vs.
Output Voltage.
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Power Supply Voltage (V)
N
eg
at
ive
Po
wer
Su
p
ly
C
u
rre
nt
;I
SS
(A
)
CS = VDD
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
1.E-11
1.E-10
1.E-09
1.E-08
1.E-07
1.E-06
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
Output Voltage (V)
Ou
tp
u
tL
ea
kag
e
Cu
rr
e
n
t(
A
)
+25°C
+125°C
+85°C
CS = VDD = 5.5V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MCP6G01T-E/MS | 功能描述:特殊用途放大器 Single Selectable Gain Amplifiers RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel |
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