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参数资料
型号： MCP669T-E/ML
厂商： Microchip Technology
文件页数： 45/68页
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP QUAD 60MHZ 16QFN
标准包装： 3,300
放大器类型： 通用
电路数： 4
输出类型： 满摆幅
转换速率： 32 V/µs
增益带宽积： 60MHz
电流 - 输入偏压： 6pA
电压 - 输入偏移： 1800µV
电流 - 电源： 6mA
电流 - 输出 / 通道： 80mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装： 16-QFN（4x4）
包装： 带卷 (TR)
2009-2012 Microchip Technology Inc.
DS22194D-page 5
MCP660/1/2/3/4/5/9
TABLE 1-3:
DIGITAL ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT VDD/2, VL = VDD/2, RL = 1 k to VL, CL = 20 pF and CS = VSS (refer to Figure 1-1 and Figure 1-2).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Low Specifications
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—0.2VD
D
V
CS Input Current, Low
ICSL
—-0.1—
nA
CS = 0V
CS High Specifications
CS Logic Threshold, High
VIH
0.8VD
D
VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—-0.7—
A
CS = VDD
GND Current
ISS
-2
-1
—A
CS Internal Pull Down Resistor
RPD
—5
—
M
Amplifier Output Leakage
IO(LEAK
)
—40—
nA
CS = VDD, TA = +125°C
CS Dynamic Specifications
CS Input Hysteresis
VHYST
—
0.25
—
V
CS High to Amplifier Off Time
(output goes High-Z)
tOFF
—
200
—
ns
G = +1 V/V, VL = VSS
CS = 0.8VDD to VOUT = 0.1(VDD/2)
CS Low to Amplifier On Time
tON
—2
10
s
G = +1 V/V, VL = VSS,
CS = 0.2VDD to VOUT = 0.9(VDD/2)
TABLE 1-4:
TEMPERATURE SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless indicated, all limits are specified for: VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
Operating Temperature Range
TA
-40
—
+125
°C
(Note 1)
Storage Temperature Range
TA
-65
—
+150
°C
Thermal Package Resistances
Thermal Resistance, 5L-SOT-23
θJA
—
220.7
—
°C/W
Thermal Resistance, 6L-SOT-23
θJA
—
190.5
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-3x3 DFN
JA
—
56.7
—
°C/W (Note 2)
Thermal Resistance, 8L-MSOP
JA
—211
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-SOIC
JA
—
149.5
—
°C/W
Thermal Resistance, 8L-2x3 TDFN
θJA
—
52.5
—
°C/W
Thermal Resistance, 10L-3x3 DFN
JA
—
53.3
—
°C/W (Note 2)
Thermal Resistance, 10L-MSOP
JA
—202
—
°C/W
Thermal Resistance, 14L-SOIC
JA
—
95.3
—
°C/W
Thermal Resistance, 14L-TSSOP
JA
—100
—
°C/W
Thermal Resistance, 16L-QFN
JA
—
45.7
—
°C/W
Note 1:
Operation must not cause TJ to exceed Maximum Junction Temperature specification (+150°C).
2:
Measured on a standard JC51-7, four layer printed circuit board with ground plane and vias.
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PDF描述
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参数描述
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MCP6G01-E/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:SINGLE 1.8V, 1 MHZ GAIN BLOCK, E TEMP - Rail/Tube
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MCP6G01RT-E/OT 功能描述:特殊用途放大器 Sngl 1.8V1MHz Gain Blk E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
MCP6G01T-E/MS 功能描述:特殊用途放大器 Single Selectable Gain Amplifiers RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
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