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参数资料
型号： MCP669T-E/ML
厂商： Microchip Technology
文件页数： 34/68页
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP QUAD 60MHZ 16QFN
标准包装： 3,300
放大器类型： 通用
电路数： 4
输出类型： 满摆幅
转换速率： 32 V/µs
增益带宽积： 60MHz
电流 - 输入偏压： 6pA
电压 - 输入偏移： 1800µV
电流 - 电源： 6mA
电流 - 输出 / 通道： 80mA
电压 - 电源，单路/双路(±)： 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装： 16-QFN（4x4）
包装： 带卷 (TR)
MCP660/1/2/3/4/5/9
DS22194D-page 4
2009-2012 Microchip Technology Inc.
Output
Maximum Output Voltage Swing VOL, VOH VSS + 25
—
VDD 25
mV
VDD = 2.5V, G = +2,
0.5V Input Overdrive
VOL, VOH VSS + 50
—
VDD 50
mV
VDD = 5.5V, G = +2,
0.5V Input Overdrive
Output Short Circuit Current
ISC
±45
±90
±145
mA
VDD = 2.5V (Note 2)
ISC
±40
±80
±150
mA
VDD = 5.5V (Note 2)
Power Supply
Supply Voltage
VDD
2.5
—
5.5
V
Quiescent Current per Amplifier
IQ
3
6
9
mA
No Load Current
TABLE 1-2:
AC ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Electrical Characteristics: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT VDD/2, VL = VDD/2, RL = 1 k to VL, CL = 20 pF and CS = VSS (refer to Figure 1-2).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
AC Response
Gain Bandwidth Product
GBWP
—
60
—
MHz
Phase Margin
PM
—
65
—
°
G = +1
Open Loop Output Impedance
ROUT
—10
—
AC Distortion
Total Harmonic Distortion plus Noise
THD+N
—
0.003
—
%
G = +1, VOUT = 2VP-P, f = 1 kHz,
VDD = 5.5V, BW = 80 kHz
Differential Gain, Positive Video
(Note 1)
DG
—
0.3
—
%
NTSC, VDD = +2.5V, VSS = -2.5V,
G = +2, VL = 0V, DC VIN = 0V to
0.7V
Differential Gain, Negative Video
(Note 1)
DG
—
0.3
—
%
NTSC, VDD = +2.5V, VSS = -2.5V,
G = +2, VL = 0V,
DC VIN = 0V to -0.7V
Differential Phase, Positive Video
(Note 1)
DP
—
0.3
—
°
NTSC, VDD = +2.5V, VSS = -2.5V,
G = +2, VL = 0V,
DC VIN = 0V to 0.7V
Differential Phase, Negative Video
(Note 1)
DP
—
0.9
—
°
NTSC, VDD = +2.5V, VSS = -2.5V,
G = +2, VL = 0V,
DC VIN = 0V to -0.7V
Step Response
Rise Time, 10% to 90%
tr
—
5
—
ns
G = +1, VOUT = 100 mVP-P
Slew Rate
SR
—
32
—
V/s
G = +1
Noise
Input Noise Voltage
Eni
—14
—
VP-P f = 0.1 Hz to 10 Hz
Input Noise Voltage Density
eni
—6.8
—
nV/
Hz f = 1 MHz
Input Noise Current Density
ini
4—
fA/
Hz f = 1 kHz
Note 1:
These specifications are described in detail in Section 4.3 “Distortion”. (NTSC refers to a National
Television Standards Committee signal.)
TABLE 1-1:
DC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (CONTINUED)
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to +5.5V, VSS = GND,
VCM = VDD/3, VOUT VDD/2, VL = VDD/2, RL = 1 k to VL and CS = VSS (refer to Figure 1-2).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Note 1:
See Figure 2-5 for temperature effects.
2:
The ISC specifications are for design guidance only; they are not tested.
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PDF描述
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参数描述
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MCP6G01-E/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:SINGLE 1.8V, 1 MHZ GAIN BLOCK, E TEMP - Rail/Tube
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MCP6G01RT-E/OT 功能描述:特殊用途放大器 Sngl 1.8V1MHz Gain Blk E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
MCP6G01T-E/MS 功能描述:特殊用途放大器 Single Selectable Gain Amplifiers RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:Single 共模抑制比（最小值）: 输入补偿电压: 工作电源电压:3 V to 5.5 V 电源电流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-20 封装:Reel
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