参数资料
型号: MCP669T-E/ML
厂商: Microchip Technology
文件页数: 8/68页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP QUAD 60MHZ 16QFN
标准包装: 3,300
放大器类型: 通用
电路数: 4
输出类型: 满摆幅
转换速率: 32 V/µs
增益带宽积: 60MHz
电流 - 输入偏压: 6pA
电压 - 输入偏移: 1800µV
电流 - 电源: 6mA
电流 - 输出 / 通道: 80mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.5 V ~ 5.5 V,±1.25 V ~ 2.75 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN(4x4)
包装: 带卷 (TR)
MCP660/1/2/3/4/5/9
DS22194D-page 16
2009-2012 Microchip Technology Inc.
Note: Unless indicated, TA = +25°C, VDD = +2.5V to 5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/3, VOUT = VDD/2, VL = VDD/2,
RL = 1 kto VL, CL = 20 pF and CS = VSS.
2.6
Chip Select Response
FIGURE 2-42:
CS Current vs. Power
Supply Voltage.
FIGURE 2-43:
CS and Output Voltages vs.
Time with VDD = 2.5V.
FIGURE 2-44:
CS and Output Voltages vs.
Time with VDD = 5.5V.
FIGURE 2-45:
CS Hysteresis vs. Ambient
Temperature.
FIGURE 2-46:
CS Turn On Time vs.
Ambient Temperature.
FIGURE 2-47:
CS’s Pull-down Resistor
(RPD) vs. Ambient Temperature.
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Power Supply Voltage (V)
CS
C
u
rr
en
t
(
A
)
CS = VDD
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Time (s)
CS
,V
OU
T(V
)
VDD = 2.5V
G = 1
VL = 0V
On
CS
VOUT
Off
-1
0
1
2
3
4
5
6
01
23
4
5
67
89
10
Time (s)
CS
,V
OU
T(V
)
VDD = 5.5V
G = 1
VL = 0V
On
CS
VOUT
Off
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
S
H
yst
er
esis
(
V
)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
S
Tu
rn
O
n
Tim
e(
s)
VDD = 2.5V
VDD = 5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
255075
100
125
Ambient Temperature (°C)
C
S
Pu
ll-
d
o
w
n
R
e
sis
to
r
(M
)
Representative Part
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PDF描述
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