收藏本站
参数资料
型号： MJE18004D2AF
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数： 16/67页
文件大小： 534K
代理商： MJE18004D2AF
2–15
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE (continued)
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
30
325
BUV23
8 min
16
1.8
0.4
16
8
250
400/1000
BUS98
8 min
20
2.3
0.4
20
250
BUX98
8 min
20
3
0.8
20
250
450/850
MJ16020(16)
5 min
30
1.8
0.2
20
250
MJ16022(16)
7 min
30
1.5
0.15
20
250
450/1000
BUS98A
8 min
16
2.3
0.4
16
250
BUX98A
8 min
16
3
0.8
16
250
40
200
BUV21 (16)
10 min
25
1.8
0.4
25
8
150
250
BUV22 (16)
10 min
20
1.1
0.35
20
8
250
350
MJ10022 (2)(16)
50/600
10
2.5
0.9
20
250
400
MJ10023 (2)(16)
50/600
10
2.5
0.9
20
250
50
60
2N5685 (16)
15/60
25
0.5 typ
0.3 typ
25
2
300
80
2N5686 (16)
2N5684 (16)
15/60
25
0.5 typ
0.3 typ
25
2
300
90
MJ11030 (2)(16)
MJ11031 (2)(16)
400 min
50
300
100
2N6274 (16)
30/120
20
0.8
0.25
20
30
250
120
2N6275 (16)
2N6379 (16)
30/120
20
0.8
0.25
20
30
250
MJ11032 (2)(16)
MJ11033 (2)(16)
400 min
50
300
125
BUV20 (16)
10 min
50
1.2
0.25
50
8
250
BUV60 (16)
10 min
80
1.1
0.25
80
250
150
2N6277 (16)
30/120
20
0.8
0.25
20
30
250
400
MJ10015 (2)(16)
10 min
40
2.5
1
20
250
500
BUT34 (2)(16)
15 min
32
3
1.5
32
250
MJ10016 (2)(16)
10 min
40
2.5
1
20
250
56
400
BUT33 (2)(16)
20 min
36
3.3
1.6
36
250
60
MJ14001(16)
15/100
50
300
80
MJ14002 (16)
MJ14003 (16)
15/100
50
300
200
MJ10020 (2)(16)
75 min
15
3.5
0.5
30
250
MJ10021 (2)(16)
75 min
15
3.5
0.5
30
250
70
125
BUS50 (16)
15 min
50
1.5
0.3
70
350
80
100
BUV18A (16)
10 min
80
1.1
0.25
80
250
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
(16)Case 197A–03 (TO–204AE)
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相关PDF资料
PDF描述
MJE18004D2BA 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18004D2BC 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18004D2AN 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18006AJ 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18006AK 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MJE18004D2G 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004G 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006G 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*