参数资料
型号: MJE18004D2AF
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数: 9/67页
文件大小: 534K
代理商: MJE18004D2AF
2–9
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
New Product New Product New Product New Product
Table 5. Large Plastic TO–264
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
15
200
MJL3281A
MJL1302A
60/175
0.1
30 typ
200
650/1500
MJL16218
4/11
12
2.5 typ
170
16
250
MJL21194
MJL21193
25/75
8
4
200
New Product New Product New Product New Product
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type)
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
0.3
350
MJE3439
40/160
0.02
15
0.5
150
MJE341
25/200
0.05
15
20.8
200
MJE344
30/300
0.05
15
20.8
250
2N5655
30/250
0.1
3.5 typ
0.24 typ
0.1
10
20
BD157
30/240
0.05
20
300
BD158
30/240
0.05
20
MJE340
MJE350
30/240
0.05
20.8
2N5656
30/250
0.1
3.5 typ
0.24 typ
0.1
10
20
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
CASE 340G
(TO–264)
1
3
2
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
CASE 77
(TO–225AA)
3
1
2
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
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PDF描述
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参数描述
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MJE18004G 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006G 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2