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参数资料
| 型号： | MJE18004D2AF |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 29/67页 |
| 文件大小： | 534K |
| 代理商： | MJE18004D2AF |
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5–7
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BA
LEADFORM AN
LEADFORM AK
MOUNTING
SURFACE
.285
± 0.020
0.040 RAD
± 0.015
.240
± 0.015
.186
± .03
CASE
221A–04
221A–06
A
0.220 Min.
0.190 Min.
B
0.325 Min.
0.290 Min.
MOUNTING
SURFACE
0.020 RAD.
TYP.
0.100
TYP.
0.100 TYP.
± 0.020
.150 MIN
.100 REF
.200 REF
.140
± .010
.017
REF
.032 REF
.050 REF
.06 R
.580
± .010
A
0.586
0.616
.380
± .02
.590
± .010 .775
± 0.015
B
LEADFORM BG
0.620 REF.
0.780
± 0.015
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PDF描述 |
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| MJE18006G | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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