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参数资料
型号： MJE18004D2AF
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数： 24/67页
文件大小： 534K
代理商： MJE18004D2AF
Outline Dimensions and Leadform Options
5–2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO–204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.550 REF
39.37 REF
B
–––
1.050
–––
26.67
C
0.250
0.335
6.35
8.51
D
0.038
0.043
0.97
1.09
E
0.055
0.070
1.40
1.77
G
0.430 BSC
10.92 BSC
H
0.215 BSC
5.46 BSC
K
0.440
0.480
11.18
12.19
L
0.665 BSC
16.89 BSC
N
–––
0.830
–––
21.08
Q
0.151
0.165
3.84
4.19
U
1.187 BSC
30.15 BSC
V
0.131
0.188
3.33
4.77
CASE 1–07
A
N
E
C
K
–T– SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.13 (0.005)
Y M
T
M
Y
M
0.13 (0.005)
T
–Q–
–Y–
2
1
U
L
G
B
V
H
STYLE 1:
PIN 1.
EMITTER
2.
COLLECTOR
3.
BASE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
CASE 77–08
–B–
–A–
M
K
F
C
Q
H
V
G
S
D
J
R
U
13
2
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010)
B M
M
A
M
0.25 (0.010)
B M
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.425
0.435
10.80
11.04
B
0.295
0.305
7.50
7.74
C
0.095
0.105
2.42
2.66
D
0.020
0.026
0.51
0.66
F
0.115
0.130
2.93
3.30
G
0.094 BSC
2.39 BSC
H
0.050
0.095
1.27
2.41
J
0.015
0.025
0.39
0.63
K
0.575
0.655
14.61
16.63
M
5 TYP
Q
0.148
0.158
3.76
4.01
R
0.045
0.055
1.15
1.39
S
0.025
0.035
0.64
0.88
U
0.145
0.155
3.69
3.93
V
0.040
–––
1.02
–––
__
(TO–204AA)
(TO–225AA)
CASE 152-02
EB C
12
3
Q
G
N
F
K
D
A
C
L
B
R
H
J
NOTES:
1. LEADS WITHIN 0.15 (0.006) TOTAL OF TRUE
POSITION AT CASE, AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
9.14
9.53
0.360
0.375
B
6.60
7.24
0.260
0.285
C
5.41
5.66
0.213
0.223
D
0.38
0.53
0.015
0.021
F
3.18
3.33
0.125
0.131
G
2.54 BSC
0.100 BSC
H
3.94
4.19
0.155
0.165
J
0.36
0.41
0.014
0.016
K
11.63
12.70
0.458
0.500
L
24.58
25.53
0.968
1.005
N
5.08 BSC
0.200 BSC
Q
2.39
2.69
0.094
0.106
R
1.14
1.40
0.045
0.055
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
(COLLECTOR CONNECTED TO TAB)
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PDF描述
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MJE18006AK 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MJE18004D2G 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18004G 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 1000V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006 功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 450V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18006G 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 8A 450V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18008 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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