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参数资料
| 型号： | MJE18004D2AF |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 65/67页 |
| 文件大小： | 534K |
| 代理商： | MJE18004D2AF |
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MJE18004D2
3–730
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
,ST
ORAGE
TIME
(
t si
s)
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 19. Inductive Switching, tc @ IC/IB = 10
1600
800
0
4
2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t,TIME
(ns)
1200
TJ = 125°C
TJ = 25°C
400
13
IC/IB = 10
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
Figure 20. Inductive Storage Time
5
2
20
0
hFE, FORCED GAIN
4
3
510
15
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC = 2 A
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
IC = 1 A
Figure 21. Inductive Fall Time
1000
0
20
8
2
hFE, FORCED GAIN
Figure 22. Inductive Crossover Time
2000
500
0
20
8
2
hFE, FORCED GAIN
1500
1000
600
t fi
,F
ALL
TIME
(ns)
t c
,CROSSOVER
TIME
(ns)
800
400
200
4
6
10
12
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
14
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
TJ = 125°C
TJ = 25°C
14
16
18
IC = 1 A
IC = 2 A
IC = 1 A
Figure 23. Inductive Storage Time, tsi
4
2
1
4
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
1
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 H
3
t,TIME
(
s)
2
2.5
3
3.5
IB = 50 mA
IB = 100 mA
IB = 200 mA
IB = 500 mA IB = 1 A
Figure 24. Forward Recovery Time, TFR
420
300
2
1
0.5
0
IF, FORWARD CURRENT (AMP)
dI/dt = 10 A/
s
TC = 25°C
1.5
t fr
,FOR
W
ARD
RECOVER
Y
TIME
(ns)
380
340
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