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参数资料
| 型号： | MJE18004D2AF |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 45/67页 |
| 文件大小： | 534K |
| 代理商： | MJE18004D2AF |
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MJE18004D2
3–728
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. Base–Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
IC/IB = 10
1
IC/IB = 5
Figure 9. Base–Emitter Saturation Region
10
1
0.1
10
0.1
0.01
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 10. Forward Diode Voltage
10
1
0.1
10
0.1
0.01
REVERSE EMITTER–COLLECTOR CURRENT (AMPS)
125
°C
25
°C
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
FOR
W
ARD
DIODE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
1
IC/IB = 20
Figure 11. Capacitance
1000
10
100
10
1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
Cib (pF)
Cob
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
Figure 12. BVCER = f(RBE)
1200
600
1000
100
10
BASE–EMITTER RESISTOR (
)
COLLECT
OR
EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TC = 25°C
BVCER @ ICER = 10 mA
1000
800
BVCER(sus) @
ICER = 200 mA,
Lc = 25 mH
1
TJ = 25°C
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PDF描述 |
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