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参数资料
| 型号： | MPC8313E-RDB |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/99页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD PROCESSOR |
| 产品培训模块： | MPC8313E PowerQUICC Processor MPC8314/15 Product Overview |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerQUICC II™ PRO |
| 类型： | MCU |
| 适用于相关产品： | MPC8313E |
| 所含物品： | 参考设计板、软件和说明文档 |
| 相关产品： | MPC8313VRAFFB-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA MPC8313EZQAFFB-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA MPC8313EVRAFFB-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA MPC8313ECZQAFFB-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA MPC8313ECVRAFFB-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA MPC8313CZQAFFB-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA MPC8313CVRAFFB-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA MPC8313ZQAFF-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA MPC8313ZQADD-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA MPC8313VRAFF-ND - IC MPU POWERQUICC II PRO 516PBGA 更多... |
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MPC8313E PowerQUICC II Pro Processor Hardware Specifications, Rev. 4
16
Freescale Semiconductor
This table provides the DDR capacitance when GVDD(typ) = 2.5 V.
This table provides the current draw characteristics for MVREF.
6.2
DDR and DDR2 SDRAM AC Electrical Characteristics
This section provides the AC electrical characteristics for the DDR SDRAM interface.
6.2.1
DDR and DDR2 SDRAM Input AC Timing Specifications
This table provides the input AC timing specifications for the DDR2 SDRAM when GVDD(typ) = 1.8 V.
Output leakage current
IOZ
–9.9
A4
Output high current (VOUT = 1.95 V)
IOH
–16.2
—
mA
—
Output low current (VOUT = 0.35 V)
IOL
16.2
—
mA
—
Note:
1. GVDD is expected to be within 50 mV of the DRAM GVDD at all times.
2. MVREF is expected to be equal to 0.5 GVDD, and to track GVDD DC variations as measured at the receiver. Peak-to-peak
noise on MVREF may not exceed ±2% of the DC value.
3. VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to be
equal to MVREF. This rail should track variations in the DC level of MVREF.
4. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V
V
OUT GVDD.
Table 15. DDR SDRAM Capacitance for GVDD(typ) = 2.5 V
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input/output capacitance: DQ, DQS
CIO
68
pF
1
Delta input/output capacitance: DQ, DQS
CDIO
—0.5
pF
1
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 2.5 V ± 0.125 V, f = 1 MHz, TA =25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak-to-peak) = 0.2 V.
Table 16. Current Draw Characteristics for MVREF
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Current draw for MVREF
IMVREF
—500
A1
Note:
1. The voltage regulator for MVREF must be able to supply up to 500 A current.
Table 17. DDR2 SDRAM Input AC Timing Specifications for 1.8-V Interface
At recommended operating conditions with GVDD of 1.8 ± 5%.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
AC input low voltage
VIL
—MVREF – 0.25
V
—
AC input high voltage
VIH
MVREF + 0.25
—
V
—
Table 14. DDR SDRAM DC Electrical Characteristics for GVDD(typ) = 2.5 V (continued)
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Note
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参数描述 |
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| MPC8313E-RDBB | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:; LEADED PROCESS COMPATIBLE:YES; PEAK RE |
| MPC8313E-RDBC | 功能描述:开发板和工具包 - 其他处理器 8313E CPU board Ver 2.2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 产品:Development Systems 工具用于评估:P3041 核心:e500mc 接口类型:I2C, SPI, USB 工作电源电压: |
| MPC8313EVRADD | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MPC83XX RISC 32-BIT 90NM 333MHZ 1V/1.8V/2.5V/3.3V 516-PIN TE - Trays |
| MPC8313EVRADDB | 功能描述:微处理器 - MPU PBGA W/ ENCR RoHS:否 制造商:Atmel 处理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:536 MHz 程序存储器大小:32 KB 数据 RAM 大小:128 KB 接口类型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作电源电压:1.8 V to 3.3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-324 |
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