参数资料
型号: NAND256W3A2CZA1E
厂商: NUMONYX
元件分类: PROM
英文描述: 32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
封装: 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55
文件页数: 43/57页
文件大小: 916K
代理商: NAND256W3A2CZA1E
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
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Figure 38. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline,12 x 17mm, Package Outline
Note: Drawing not to scale.
Table 23. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline, 12 x 17mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
0.48
0.65
0.019
0.026
A1
0.00
0.10
0.000
0.004
A2
0.52
0.48
0.56
0.020
0.019
0.022
b
0.16
0.13
0.23
0.006
0.005
0.009
c
0.10
0.08
0.17
0.004
0.003
0.007
D1
12.00
11.90
12.10
0.472
0.469
0.476
ddd
0.06
0.002
E
17.00
16.80
17.20
0.669
0.661
0.677
E1
15.40
15.30
15.50
0.606
0.602
0.610
e0.50–
0.020
L
0.55
0.45
0.65
0.022
0.018
0.026
L1
0.25
0.010
q0
5
0
5
WSOP-A
b
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DIE
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A1
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E
A
A2
1
24
48
25
D1
ddd
L1
L
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