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参数资料
| 型号： | NAND256W3A2CZA1E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| 封装： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55 |
| 文件页数： | 47/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND256W3A2CZA1E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 41. VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 26. VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.05
0.041
A1
0.25
0.010
A2
0.70
0.028
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
9.00
8.90
9.10
0.354
0.350
0.358
D1
4.00
0.157
D2
7.20
0.283
ddd
0.10
0.004
E
11.00
10.90
11.10
0.433
0.429
0.437
E1
5.60
0.220
E2
8.80
0.346
e0.80
–
0.031
–
FD
2.50
0.098
FD1
0.90
0.035
FE
2.70
0.106
FE1
1.10
0.043
SD
0.40
–
0.016
–
SE
0.40
–
0.016
–
E
D
e
D1
SD
FD
SE
b
A2
FE
A1
A
BGA-Z75
ddd
FD1
D2
E2
E1
e
FE1
BALL "A1"
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND256W4A0AN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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