- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189004 > NAND512W3A2SN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND512W3A2SN6E |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 41/51页 |
| 文件大小： | 1009K |
| 代理商： | NAND512W3A2SN6E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页当前第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页
DC and AC parameters
Numonyx SLC SP 70 nm
210403 - Rev 3
Figure 33.
Resistor value versus waveform timings for Ready/Busy signal
1.
T = 25°C.
10.2
Data protection
The Numonyx NAND device is designed to guarantee data protection during power
transitions.
A VDD detection circuit disables all NAND operations, if VDD is below the VLKO threshold.
In the VDD range from VLKO to the lower limit of nominal range, the WP pin should be kept
Low (VIL) to guarantee hardware protection during power transitions as shown in the figure
below (Figure 34).
Figure 34.
Data protection
Ai13188
VLKO
VDD
WP
Nominal Range
Locked
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND99R3M2AZBB5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| NAND99W3M1AZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2BZBA5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NANDBAR4N1BZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2CZBA5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512W3A2SN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB NAND FLASH 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND512W3A2SZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MICNAND512W3A2SZA6E 512MB NAND FLASH 制造商:Micron Technology 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray |
| NAND512W3A2SZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel 制造商:Micron Technology 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA T/R |
| NAND512W4A0AN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W4A0AZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。