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参数资料
| 型号： | NTHC5513T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHC5513T1OS |
NTHC5513
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Max
Unit
Junction?to?Ambient (Note 1)
Steady State
t v 5
T A = 25 ° C
R q JA
110
60
° C/W
2. Surface Mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS (Note 3)
Drain?to?Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
N
P
V GS = 0 V
I D = 250 m A
I D = ?250 m A
20
?20
V
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
N
V GS = 0 V, V DS = 16 V
1.0
m A
P
N
P
V GS = 0 V, V DS = ?16 V
V GS = 0 V, V DS = 16 V, T J = 85 ° C
V GS = 0 V, V DS = ?16 V, T J = 85 ° C
?1.0
5
?5
Gate?to?Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 12 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
N
P
V GS = V DS
I D = 250 m A
I D = ?250 m A
0.6
?0.6
1.2
?1.2
V
Drain?to?Source On Resistance
R DS (on)
N
P
N
P
V GS = 4.5 V , I D = 2.9 A
V GS = ?4.5 V , I D = ?2.2 A
V GS = 2.5 V , I D = 2.3 A
V GS = ?2.5 V, I D = ?1.7 A
0.058
0.130
0.077
0.200
0.080
0.155
0.115
0.240
W
Forward Transconductance
g FS
N
V DS = 10 V, I D = 2.9A
6.0
S
CHARGES AND CAPACITANCES
P
V DS = ?10 V , I D = ?2.2 A
6.0
Input Capacitance
C ISS
N
V DS = 10 V
180
pF
P
V DS = ?10 V
185
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
N
P
N
f = 1 MHz, V GS = 0 V
V DS = 10 V
V DS = ?10 V
V DS = 10 V
80
95
25
P
V DS = ?10 V
30
Total Gate Charge
Q G(TOT)
N
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 2.9 A
2.6
4.0
nC
P
V GS = ?4.5 V, V DS = ?10 V, I D = ?2.2 A
3.0
6.0
Gate?to?Source Gate Charge
Gate?to?Drain “Miller” Charge
Q GS
Q GD
N
P
N
P
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 2.9 A
V GS = ?4.5 V, V DS = ?10 V, I D = ?2.2 A
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 2.9 A
V GS = ?4.5 V, V DS = ?10 V, I D = ?2.2 A
0.6
0.5
0.7
0.9
3. Pulse Test: Pulse Width v 250 m s, Duty Cycle v 2%.
http://onsemi.com
2
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参数描述 |
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