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参数资料
| 型号： | NTHC5513T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHC5513T1OS |
NTHC5513
TYPICAL P?CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
600
500
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
?V DS
Q T
?V GS
15
12
400
3
9
300
C RSS
2
Q GS
Q GD
6
200
100
0
C OSS
1
0
I D = ?2.1 A
T J = 25 ° C
3
0
10
5
?V GS
0
?V DS
5
10
15
20
0
1
2
3
4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Capacitance Variation
1000
2.5
Figure 18. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2
100
t d(OFF)
t f
1.5
10
t r
1
t d(ON)
V DD = ?16 V
I D = ?2.1 A
V GS = ?4.5 V
0.5
1
1
10
100
0
0.3
0.5
0.7
0.9
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 19. Resistive Switching Time Variation
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 20. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
PDM
1. Duty Cycle, D = t
2. Per Unit Base = R thJA = 90 ° C/W
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
t1
t2
t1
2
3. T JM ? T A = P DM Z q JA(t)
4. Surface Mounted
10 1
10 ?4
10 ?3
10 ?2
?1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
Figure 21. Thermal Response
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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