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参数资料
| 型号： | NTHC5513T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHC5513T1OS |
NTHC5513
TYPICAL N?CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
400
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4.5
Q G
20
4
16
300
3.5
200
C RSS
3
2.5
12
2
Q GS
Q GD
8
1.5
100
0
C OSS
1
0.5
0
I D = 2.7 A
T J = 25 ° C
4
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
0.5 1 1.5 2
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
2.5
3
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
7
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 16 V
I D = 2.7 A
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
5
t d(ON)
10
1
t r
t d(OFF
)
t f
4
3
2
1
0
1
10
100
0.3
0.45
0.6
0.75
0.9
1.05
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHC5513T1G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHC5513T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 20V 1206A |
| NTHC60A3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Crystal Clock Oscillator |
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