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参数资料
| 型号： | NTHC5513T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHC5513T1OS |
NTHC5513
TYPICAL P?CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
4
V GS = ?6 V to ?3 V
V GS = ?2.4 V
?2 V
T J = 25 ° C
4
V DS ≥ ?10 V
?2.2 V
3
2
?1.8 V
3
2
100 ° C
1
0
?1.6 V
?1.4 V
?1.2 V
1
0
T C = ?55 ° C
25 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.5
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. On?Region Characteristics
0.25
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Transfer Characteristics
0.4
I D = ?2.1 A
T J = 25 ° C
0.225
T J = 25 ° C
V GS = ?2.5 V
0.2
0.3
0.175
0.2
0.15
V GS = ?4.5 V
0.1
0
0.125
0.1
1
2
3
4
5
6
0.5
1.5
2.5
3.5
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.6
I D = ?2.1 A
10000
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 14. On?Resistance vs. Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
V GS = ?4.5 V
T J = 150 ° C
1000
1.2
1
0.8
0.6
100
10
T J = 100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
?T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
6
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHC5513T1G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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